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EKSMA硒化镓(GaSe)晶体GaSe-10H1

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  • 品牌名称:EKSMA
  • 规格型号:GaSe-10H1
产品介绍

用于产生太赫兹THz的GaSe(硒化镓)晶体显示出高达41 THz的大带宽。GaSe是负单轴层状半导体,具有62 m点组的六边形结构,在300 K时的直接带隙为2.2eV。GaSe晶体具有高损伤阈值,较大的非线性光学系数(54 pm / V),合适的透明范围和低吸收系数,这使其成为宽带中红外电磁波产生的替代解决方案。由于使用低于20 fs的激光源产生和检测宽带太赫兹,因此与使用薄的ZnTe晶体相比,GaSe发射器-探测器系统的性能可达到相当甚至更好的结果。为了实现频率选择性太赫兹波的产生和检测系统,应使用适当厚度的GaSe晶体。

产品参数

GaSe晶体


Z切割,开裂,未镀膜


尺寸:直径7 mm


厚度:0.01 mm


由于材料结构的原因,可能仅沿(001)平面切割GaSe晶体

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