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产品介绍
封装InGaAs光电二极管（PD），针对高输入光功率和输出（max）电流线性进行了优化。该设备设计用于需要高动态范围、低噪声系数和高RF增益的光纤链路上的RF。内部部件采用焊接和激光焊接，确保在环境温度变化的情况下实现更大的可靠性和性能稳定性。为了确保更大的射频输出平面度，光电二极管具有50欧姆的片上终端和直流耦合输出。
性能特点
- 高响应度
- 高的光功率处
- 高线性
- 50Ω片上阻抗匹配
- 封装内去耦电容器
- 输出端无需偏置T
- 激光焊接组件
- 密封
- XLMD MSA封装兼容
选型指南
技术参数
产地：美国
光电二极管电压：-0.1...8 V
光学输出功率：max.80 mW
输出功率损坏阈值：275 mW（5.5V偏置）
200 mW（7.5V偏置）
ESD输出引脚：-250...250 V
光纤弯曲半径：10 mm
波长范围：1500...1580 nm
响应性：0.8...0.85 A/W
偏振相关灵敏度（PDS）：0.2...0.3 dB
射频带宽：min.20 dB
暗电流：20...50 nA
PD反向偏置：3...7.5 V
光学饱和功率：min.18 dBm
光回波损耗：min.-27 dB
输出反射系数：min.-10 dB
射频输出端接：50Ω
工作温度：-40...+85°C
储存温度：-55...+95°C
工作湿度：0...90%RH
产品尺寸
产品应用
需要高增益、高动态范围和低噪声系数的射频光纤互连
恶劣的环境
产品参数
津公网安备12010102000950号