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产品介绍
获得850 nm圆形对称光束，具有单一纵向模式和低发散性，可有效耦合到50/125µm和62.5/125µm MM光纤中。我们的高速850 nm VCSEL芯片可在多种横向模式下工作，并满足高速数据通信的严格规范。这种高性能、高可靠性的设备设计具有低电寄生效应，数据速率高达10 Gbps。
性能特点
- 850 nm多模发射
- 低RMS光谱宽度
- 高可靠性
- 低阈值和工作电流
- 低电寄生效应
- 数据速率高达10 Gb/s
- 背面阴极和顶部阳极配置
- 符合RoHS
可选功能与配件
金属引线框上紫外线胶带上的划片晶圆
夹环
Gel Pak
技术参数
产地：美国
阈值电流：max.1.0 mA
工作电流：5.0...6.0 mA
边坡效率：0.35...0.53 mW/mA
光输出功率：1.7...2.7 mW
工作电压：1.9 V
差动电阻：45...75 Ω
发射波长：840...860 nm
光谱宽度，RMS：max.0.35 nm
光束发散：30 °
电容：max.0.35 pF
调制带宽：min.9 GHz
上升时间：max.40 ps
下降时间：max.45 ps
相对强度噪声：max.-128 dB/Hz
波长调谐系数：0.06 nm/K
斜率效率变化25C-85℃：-0.1%/K
热阻抗：3.0 K/mW
光输出功率：8 mW
峰值正向电流（max.10秒）：12 mA
VCSEL反向电压：5 V
工作温度：-5...+90°C
储存温度：-40...+100°C
安装温度（max.10秒）：260°C
产品应用
光纤通信链路可达10 Gb/s
千兆以太网和存储区域网络
产品参数
津公网安备12010102000950号