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产品介绍
scia Mill 150 专为构造各种材料的复杂多层而设计。凭借其完全反应气体兼容性，该系统还能够以增强的选择性和速率进行反应蚀刻工艺。由于其节省空间的设计，scia Mill 150 非常适合小规模生产和研发应用。
性能特点
- 蚀刻角度可通过可倾斜和可旋转的基板支架进行调整
- 无需整形器即可实现好的均匀性
- 使用反应气体增强选择性和速率
- 使用准确的 SIMS 或光学终点检测进行过程控制
- 载体概念可适应各种基板尺寸
- 由于良好的晶圆冷却，可使用光刻胶掩模处理晶圆
技术参数
产地：德国
基片尺寸（max）：直径150 mm。
基片支架：水冷，氦气背面冷却接触，基片旋转1至20 rpm，可原位倾斜0°至165°，步长0.1°
离子束源：190 mm圆形微波ECR源（MW218-e）
中和器：三重等离子桥中和器（N-3DC）
射频等离子桥中和器（RF-PBN）
基准压力：< 5 x 10-7 mbar
系统尺寸（宽x深x高）：1.90 m x 1.80 m x 1.75 m（不含电气架）
配置：单腔，可选单基片负载锁，可选OES或SIMS终点检测
软件接口：SECS II / GEM，OPC
典型去除率：SiO2：30 nm/min
均匀性变化：≤3 %（σ/平均值）
产品应用
磁存储器 (MRAM) 和传感器 (GMR、TMR) 的结构化
MEMS 生产中的金属铣削 (Au、Ru、Ta 等)
不同金属和介电材料多层的铣削
化合物半导体 (GaAs、GaN、InP 等) 的化学辅助离子束蚀刻 (CAIBE)
三维光电微结构的生产
用于降低微观粗糙度的离子束平滑
用于光栅 (SiO2) 图案转移的反应离子束蚀刻 (RIBE)
产品参数
津公网安备12010102000950号